发明名称 电源电路
摘要 一种电源电路,包括一欠压保护单元及一电压转换单元,所述欠压保护单元包括一控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻。所述欠压保护单元与所述电压转换单元相连。所述欠压保护单元及所述电压转换单元均与一电源相连。当所述电源的电压在正常范围内时,所述欠压保护单元输出一第一控制信号给所述电压转换单元,所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出,当所述电源的电压低于一阈值电压时,所述欠压保护单元输出一第二控制信号给所述电压转换单元,所述电压转换单元不工作。上述电源电路具有欠压保护的功能。
申请公布号 CN104122971A 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201310155048.5 申请日期 2013.04.29
申请人 鸿富锦精密电子(天津)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 发明人 周海清
分类号 G06F1/26(2006.01)I;H02H3/24(2006.01)I 主分类号 G06F1/26(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种电源电路,包括一欠压保护单元及一电压转换单元,所述欠压保护单元包括一控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻,所述控制芯片与所述第一NMOS场效应管的栅极相连,所述第一NMOS场效应管的漏极通过所述第一电阻与一电源相连,所述第一NMOS场效应管的源极接地,所述第二NMOS场效应管的栅极与所述第一NMOS场效应管的漏极相连,所述第二NMOS场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述电源相连,所述第二NMOS场效应管的源极接地,所述第三NMOS场效应管的栅极与所述第二NMOS场效应管的漏极相连,所述第三NMOS场效应管的漏极通过所述第三电阻与所述电源相连,所述第三NMOS场效应管的源极与所述电压转换单元相连并通过所述第四电阻接地,所述电压转换单元与所述电源相连,所述控制芯片输出一高电平信号给所述第一NMOS场效应管的栅极,所述第一NMOS场效应管导通,所述第二NMOS场效应管截止,所述第三NMOS场效应管导通,当所述电源的电压在正常范围内时,所述第三NMOS场效应管的源极输出一第一控制信号给所述电压转换单元,所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出,当所述电源的电压低于一阈值电压时,所述第三NMOS场效应管的源极输出一第二控制信号给所述电压转换单元,所述电压转换单元不工作。
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