| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区，本体区和栅极；其中所述p区和n区的至少一个包括缺陷半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN203910806U | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201320675457.3 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | A.毛德;U.瓦尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;王洪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；补偿区，其包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区，本体区和栅极；其中所述p区和n区的至少一个包括缺陷半导体材料。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||