半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种晶体管制造方法，在常规刻蚀工艺形成源漏区域凹槽之后，采用原位刻蚀工艺处理所形成的源漏区域凹槽，修复了常规刻蚀对衬底晶格的损伤，并且，使源漏区域凹槽与沟道区相邻的侧壁出现{111}和/或{113}面并向沟道区延伸，从而有利于向沟道区提供更大的应力。同时，由于原位刻蚀工艺与外延工艺同在外延机台内进行，大大压缩源漏区域凹槽的形成工艺与外延工艺之间的等待时间，从而抑制界面氧化层的形成以及凹槽内壁对空气中碳元素的吸附，减少了后续外延的缺陷源，还能够避免常规工艺中为了去除自然氧化层及碳元素而采用的高温过程对衬底中掺杂元素分布的影响。

主权项

一种半导体器件制造方法，其中，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成隔离区域、栅极堆栈；对所述衬底进行刻蚀，形成源漏区域凹槽；将所述衬底转移至外延机台内，对所述源漏区域凹槽进行原位刻蚀工艺处理，使得所述源漏区域凹槽与沟道区相邻的侧壁为所述衬底的{111}和/或{113}面，之后，在所述源漏区域凹槽中，通过外延工艺形成源漏区域。