成膜装置的清洁方法以及成膜装置

摘要

提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，将压力设定为第一压力带，将温度设定为第一温度带，从气体供给路径供给清洁气体，在上述第二工序中，一边将压力设定为比第一压力带高的第二压力带，并使温度上升至比第一温度带高的第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体，在上述第三工序中，一边将压力设定为比第二压力带低的第三压力带，并将温度维持在第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体。

主权项

一种成膜装置的清洁方法，该成膜装置具备：处理室，其收容被处理基板，对上述被处理基板实施用于使化合物半导体膜成膜的成膜处理；加热装置，其对收容在上述处理室的内部的上述被处理基板进行加热；排气装置，其能够一边将上述处理室的内部的压力调整为处理所需的压力，一边对该处理室的内部进行排气；以及处理气体供给机构，其具有与上述处理室的内部相连通的气体供给路径，将使用于处理的气体供给至上述处理室的内部，该成膜装置的清洁方法具备以下工序：(1)对上述处理室的内部以及收容在上述处理室的内部的部件进行清洁；(2)对上述处理室的内部以及上述部件各自的下部进行清洁；以及(3)对上述气体供给路径的内部进行清洁，其中，在上述工序(1)中，将上述处理室的内部的压力设定为第一压力带，以及将上述处理室的内部的温度设定为可清洁温度以上的第一温度带，从上述气体供给路径供给清洁气体，在上述工序(2)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述第一压力带高的第二压力带，并使上述处理室的内部的温度上升至比上述第一温度带高的第二温度带，一边从上述气体供给路径供给上述清洁气体，在上述工序(3)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述第二压力带低的第三压力带，并将上述处理室的内部的温度维持在上述第二温度带，一边从上述气体供给路径供给上述清洁气体。