| 发明名称 | 半导体存储装置以及利用其控制外部电压的方法 | ||
| 摘要 | 一种根据本实施例的半导体存储装置包括：外部连接端子，所述外部连接端子被配置成供应外部电压；熔丝单元，所述熔丝单元被配置成执行熔丝断裂操作；以及中断电路单元，所述中断电路单元被配置成响应于测试信号而判定外部连接端子是否与熔丝单元连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104123968A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310516040.7 | 申请日期 | 2013.10.28 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金渊郁;朴宰范 |
| 分类号 | G11C29/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：外部连接端子，所述外部连接端子被配置成供应外部电压；熔丝单元，所述熔丝单元被配置成执行熔丝断裂操作；以及中断电路单元，所述中断电路单元被配置成响应于测试信号而判定所述外部连接端子是否与所述熔丝单元连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||