一种测试结构

摘要

本实用新型提供一种测试结构，至少包括：分别包含信号焊盘和接地焊盘的第一、第二测试结构；漏极和栅极分别电连接于不同信号焊盘的MOS结构；当有一个直流焊盘时，MOS结构的基极电连接该直流焊盘，其源极电连接接地焊盘；当有两个直流焊盘时，MOS结构的基极和源极分别电连接该两个直流焊盘或其源极电连接接地焊盘，其基极和深N阱分别电连接该两个直流焊盘；当有三个直流焊盘时，MOS结构的基极和深N阱分别电连接其中两个直流焊盘，其源极电连接另一直流焊盘。利用本实用新型的测试结构能根据对晶圆面积的需求灵活设计测试结构中焊盘的分布，节约晶圆面积的同时可有效地实现高频交流信号下对射频MOS结构的输出阻抗的测试。

主权项

一种测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：分别包含信号焊盘和至少一个接地焊盘的第一、第二测试结构；所述接地焊盘彼此电连接；漏极和栅极分别电连接于所述第一、第二测试结构的信号焊盘的MOS结构；至少一个直流焊盘；所述测试结构包含一个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极电连接于该直流焊盘，其源极电连接于所述接地焊盘；所述测试结构包含两个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极和源极分别电连接于该两个直流焊盘或者其源极电连接于所述接地焊盘并且其基极和深N阱分别电连接于该两个直流焊盘；所述测试结构包含三个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极和深N阱分别电连接于其中两个所述直流焊盘，其源极电连接于另一所述直流焊盘。