| 发明名称 | 一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路，该电路为差分对称结构，包括了输入级(M1)、级联级(M2)、畸变消除级(M1a)，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级连接在级联级，为工作在弱反型区的PMOS晶体管。本发明的优点在于：可以显著提高LNA的线性度，并同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104124924A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201410293725.4 | 申请日期 | 2014.06.25 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 发明人 | 郭本青;安士全 |
| 分类号 | H03F1/26(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人 | 张明 |
| 主权项 | 一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路，其特征在于：该电路为差分对称结构，包括了输入级(M1)、级联级(M2)、畸变消除级(M1a)，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级连接在级联级，为工作在弱反型区的PMOS晶体管。 | ||
| 地址 | 230001 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号 | ||