发明名称 |
单核心电压裕度 |
摘要 |
核心电压裕度装置的示例性实施例包括设置在多核处理器上的多个电压偏移块,每个电压偏移块具有耦合以接收供给电压电平的电压输入端、耦合以接收偏移码的控制输入端、以及耦合到多核处理器中的相应核心处理器的电压输出端,每个电压偏移块被配置为按照电压偏移值来偏移供给电压电平,所述电压偏移值由在电压偏移块的控制输入端接收的偏移码来编程;以及电压偏移寄存器,其具有同样的多个控制输出端,每个控制输出端耦合到电压偏移块的对应的控制输入端,其中所述电压偏移寄存器被配置成保存用于每个电压偏移块的偏移码,并在耦合到所选择的电压偏移块的控制输出端提供偏移码,所述偏移码对所选择的电压偏移块的电压偏移值进行编程。 |
申请公布号 |
CN104126160A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201180075964.7 |
申请日期 |
2011.12.29 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
A·科扎克朱克 |
分类号 |
G06F1/32(2006.01)I;G06F15/80(2006.01)I |
主分类号 |
G06F1/32(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
韩宏;陈松涛 |
主权项 |
一种装置,包括:设置在多核处理器上的多个电压偏移块,每个电压偏移块具有耦合以接收供给电压电平的电压输入端、耦合以接收偏移码的控制输入端、以及耦合到所述多核处理器中的相应的核心处理器的电压输出端,每个电压偏移块被配置为按照电压偏移值来偏移所述供给电压电平,所述电压偏移值由在所述电压偏移块的所述控制输入端接收的偏移码来编程;以及电压偏移寄存器,其具有同样的多个控制输出端,每个控制输出端耦合到电压偏移块的对应控制输入端,其中所述电压偏移寄存器被配置成保存用于每个电压偏移块的偏移码,并在耦合到所选择的电压偏移块的控制输出端提供所述偏移码,所述偏移码对所选择的电压偏移块的所述电压偏移值进行编程。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |