发明名称 |
一种P型硅衬底背面接触式太阳电池 |
摘要 |
本实用新型涉及一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构。P型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构;P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分,P型层部分依次为P型硅衬底、减反射层,以及穿透减反射层与P型硅衬底接触的电极;N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、减反射层,以及穿透减反射层与N型晶硅层连接的电极。本实用新型可以兼容传统晶硅生产线,可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产,相对于传统晶硅太阳电池,避免常规太阳电池正面电极遮光的问题,降低金属电极的使用量,提高了太阳电池的效率;并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池,不但制备工艺简单,设备成本也很低。 |
申请公布号 |
CN203910813U |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201420217512.9 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
发明人 |
贾河顺;姜言森;方亮;刘兴村;任现坤;张春艳;马继磊 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
于晓晓 |
主权项 |
一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构,其特征在于,P型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构;P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分,P型层部分依次为P型硅衬底、减反射层,以及穿透减反射层与P型硅衬底接触的电极;N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、减反射层,以及穿透减反射层与N型晶硅层连接的电极。 |
地址 |
250103 山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园 |