N型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法

摘要

本发明提供了N型轻掺杂离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和N型轻掺杂离子注入区，N型轻掺杂离子注入区由N型阱-N型轻掺杂离子阱结构构成，包括：N型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区由N型阱-P型轻掺杂离子阱结构构成，包括：N型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层，以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；经负电势电子束扫描，利用同型结和异型结对应的接触孔显示的亮度不同，前者显示暗孔，后者显示亮孔，根据发生亮度变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中N型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免N型轻掺杂离子注入到PMOS的N型阱中而产生漏电现象。

主权项

一种N型轻掺杂离子注入对准度的监控结构，所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中，其特征在于，所述监控结构包括N型轻掺杂离子注入区和光阻区，所述光阻区为进行P型轻掺杂离子注入的区域；其中，所述N型轻掺杂离子注入区由N型阱‑N型轻掺杂离子阱结构构成，包括：在非功能区中设置的N型阱，在所述N型阱中设置的N型轻掺杂离子阱，位于所述N型轻掺杂离子阱之间的栅极，位于所述非功能区表面的介质层，以及位于所述介质层中且对应于所述N型轻掺杂离子阱的接触孔；所述光阻区由N型阱‑P型轻掺杂离子阱结构构成，包括：在非功能区中设置的N型阱，在所述N型阱中设置的P型轻掺杂离子阱，位于所述P型轻掺杂离子阱之间的栅极，位于非功能区表面的介质层，以及位于所述介质层中且对应于所述P型轻掺杂离子阱的接触孔；其中，在负电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中，所述N型阱‑N型请轻掺杂离子阱结构对应的接触孔为暗孔，所述N型阱‑P型轻掺杂离子阱结构对应的接触孔为亮孔。