发明名称 | 基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器,包括三层陶瓷基板,含有两个耦合缝隙的第一金属层,含有两个耦合缝隙的第二金属层,第三金属层,八十二个金属化通孔,由八十个金属化通孔和第二层陶瓷基板、第三层陶瓷基板形成的四个谐振腔,第一谐振腔和第二谐振腔之间的第一耦合缝隙,第二谐振腔和第三谐振腔之间的第二耦合缝隙,第三谐振腔和第四谐振腔之间的第三耦合缝隙,以及第一层陶瓷基板和第一金属化通孔构成的输入端口,第一层陶瓷基板和第二金属化通孔构成的输出端口。本发明频带为E波段,具有频段频率覆盖广、插入损耗小、频率选择性好、谐波抑制特性好、电路结构简单、可控性好等突出优点,对于未来高速率数据无线通信具有有重大应用前景。 | ||
申请公布号 | CN104124499A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
申请号 | CN201410378043.3 | 申请日期 | 2014.08.01 |
申请人 | 南京理工大学 | 发明人 | 陈龙;周围;许心影;顾家;戴永胜 |
分类号 | H01P1/208(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/208(2006.01)I |
代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 朱显国 |
主权项 | 一种基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器,其特征在于,包括三层陶瓷基板(S1、S2、S3),含有两个耦合缝隙(C1、C2)的第一金属层(L1),含有两个耦合缝隙(C12、C34)的第二金属层(L2),第三金属层(L3),八十二个金属化通孔(V1~V82),由八十个金属化通孔(V3~V82)和第二层陶瓷基板(S2)、第三层陶瓷基板(S3)形成的四个谐振腔(R1、R2、R3、R4),第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)之间的第一耦合缝隙(C12),第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)之间的第二耦合缝隙(C23),第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)之间的第三耦合缝隙(C34),以及第一层陶瓷基板(S1)和第一金属化通孔(V1)构成的输入端口(P1),第一层陶瓷基板(S1)和第二金属化通孔(V2)构成的输出端口(P2);所述第一谐振腔(R1)由二十三个金属化通孔即第三~十七金属化通孔(V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12、V13、V14、V15、V16、V17)、第三十五~四十二金属化通孔(V35、V36、V37、V38、V39、V40、V41、V42)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成;第二谐振腔(R2)由二十三个金属化通孔即第四十三~五十七金属化通孔(V43、V44、V45、V46、V47、V48、V49、V50、V51、V52、V53、V54、V55、V56、V57)、第七十五~八十二金属化通孔(V75、V76、V77、V78、V79、V80、V81、V82)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成;第三谐振腔(R3)由二十三个金属化通孔即第五十五~七十七金属化通孔(V55、V56、V57、V58、V59、V60、V61、V62、V63、V64、V65、V66、V67、V68、V69、V70、V71、V72、V73、V74、V75、V76、V77)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成;第四谐振腔(R4)由二十三个金属化通孔即第十五~三十七金属化通孔(V15、V16、V17、V18、V19、V20、V21、V22、V23、V24、V25、V26、V27、V28、V29、V30、V31、V32、V33、V34、V35、V36、V37)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成;第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)通过第一耦合缝隙(C12)耦合,第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)通过第二耦合缝隙(C23)耦合,第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)通过第三耦合缝隙(C34)耦合。 | ||
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