| 发明名称 | 制造碳化硅半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 准备由碳化硅制成的单晶衬底(11)以及比单晶衬底(11)中的每一个大的第一支撑衬底(31)。单晶衬底(11)接合在第一支撑衬底(31)上。使已经接合至第一支撑衬底(31)的单晶衬底(11)经历加工。移除第一支撑衬底(31)。单晶衬底(11)被热处理。单晶衬底(11)接合至比单晶衬底(11)大的第二支撑衬底(32)上。使接合至第二支撑衬底(32)的单晶衬底(11)经历加工。 | ||
| 申请公布号 | CN104126218A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201380010425.4 | 申请日期 | 2013.02.05 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 堀井拓 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下各步骤：准备由碳化硅制成的至少一个单晶衬底以及具有比所述至少一个单晶衬底中的每一个单晶衬底的尺寸大的尺寸的第一支撑衬底；将所述至少一个单晶衬底中的每一个单晶衬底接合至所述第一支撑衬底上；对被接合至所述第一支撑衬底的所述至少一个单晶衬底执行加工；在对所述至少一个单晶衬底执行加工的步骤之后，移除所述第一支撑衬底；在移除所述第一支撑衬底的步骤之后，使所述至少一个单晶衬底经历热处理；在使所述至少一个单晶衬底经历热处理的步骤之后，将所述至少一个单晶衬底中的每一个单晶衬底接合至第二支撑衬底上，所述第二支撑衬底具有比所述至少一个单晶衬底中的每一个单晶衬底的尺寸大的尺寸；以及对被接合至所述第二支撑衬底的所述至少一个单晶衬底执行加工。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||