金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件

摘要

本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导体场效应晶体管；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；栅介质Al₂O₃填充在栅槽内，并与InGaP势垒层接触。上述栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。本实用新型具有隔离度高、功率容量大、插入损耗低和易于实现的特点。

主权项

金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件，所述射频开关器件由金属氧化物半导体场效应晶体管构成，其特征在于：上述金属氧化物半导体场效应晶体管包括GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层、Al₂O₃介质、栅端、漏端和源端；其中GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置；漏端和源端设置在InGaAs帽层的上方；位于顶部的GaAs帽层和InGaAs帽层内开设有栅槽，栅端嵌设在该栅槽内；Al₂O₃介质填充在栅槽内，并作为栅介质与InGaP势垒层接触；上述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅端接入一薄膜电阻后，作为射频开关器件的控制端；金属氧化物半导体场效应晶体管的源端和漏端中的一个作为射频开关器件的发射端，另一个作为射频开关器件的接收端。