发明名称 |
用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法 |
摘要 |
本发明的实施方案涉及一种从硅制备硅晶体的方法。所述方法包括使硅粉末与溶剂金属接触以提供含硅的混合物,在浸没下熔融硅以提供第一种熔融液,使第一种熔融液与第一种气体接触以提供浮渣和第二种熔融液,分离浮渣和第二种熔融液,冷却第二种熔融液以形成第一种硅晶体和第一种母液并分离第一种硅晶体和第一种母液。 |
申请公布号 |
CN101855391B |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN200880115808.7 |
申请日期 |
2008.10.03 |
申请人 |
希里科材料公司 |
发明人 |
斯科特·尼科尔 |
分类号 |
C30B9/10(2006.01)I;C01B33/021(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B9/10(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
柳春琦 |
主权项 |
一种由硅粉末获得硅晶体的方法,所述方法包括:将硅粉末与溶剂金属接触,以提供含硅的混合物;通过使用旋转除气器、转炉、熔融金属泵或感应电流将硅粉末进料到所述溶剂金属的涡流中,在浸没下熔融硅,以提供第一种熔融液;将第一种熔融液与第一种气体接触,以提供浮渣和第二种熔融液;分离浮渣和第二种熔融液;冷却第二种熔融液,以提供分步结晶形成第一种硅晶体和第一种母液;并且分离第一种硅晶体和第一种母液,其中在所述冷却的步骤中保持浴的温度均匀以防止晶体优先地生长在浴中的一个部分。 |
地址 |
美国特拉华州 |