| 摘要 |
幾つかの実施形態は、メモリセルを含む。メモリセルは、第一の電極と、第一の電極上のトレンチ形状プログラマブル材料構造とを有してもよい。トレンチ形状は開口を画定する。プログラマブル材料は、導電性ブリッジを可逆的に保持するように構成されてもよい。メモリセルは、プログラマブル材料に直接相対するイオンソース材料を有し、トレンチ形状プログラマブル材料によって画定される開口内に第二の電極を有してもよい。幾つかの実施形態はメモリセルのアレイを含む。アレイは、第一の導電性ラインと、第一のライン上のトレンチ形状プログラマブル材料構造とを有してもよい。トレンチ形状構造は、その中に開口を画定してもよい。イオンソース材料は、プログラマブル材料に直接相対し、第二の導電性ラインは、イオンソース材料上かつ、トレンチ形状構造によって画定された開口内にあってもよい。【選択図】図１ |
