| 摘要 |
1. Композиция для жидкостного химического выращивания при комнатной температуре оксидного слоя на подложке, содержащая:источник фторида для способствования травлению подложки;неорганическую окислительно-восстановительную систему, содержащую один или более элементов, выбранных из I, V, Со, Pb и Ag, для способствования реакции окисления на поверхности подложки и тем самым способствования выращиванию оксидного слоя на подложке, исходя по меньшей мере отчасти из расходуемой подложки в результате травления подложки; инеинвазивную добавку для регулирования баланса между первой скоростью травления подложки и второй скоростью выращивания оксидного слоя;при этом композиция практически свободна от кремния.2. Композиция по п. 1, при этом композиция практически свободна от органических компонентов.3. Композиция по п. 1, при этом источник фторида выбран из NHF, HF, HTiF, BaF, BFи NaF.4. Композиция по п. 3, при этом источником фторида является HF.5. Композиция по п. 1, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система содержит йод.6. Композиция по п. 5, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система выбрана из HIO, KI, BI, IO, IO, IO, IF, PI, PI, TiI, VI, CoI, NiI, AsI, SnI, SbI, TeI, PbIи BiI.7. Композиция по п. 6, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система выбрана из HIO, KI и IO.8. Композиция по п. 7, при этом упомянутой неинвазивной добавкой является HCl.9. Композиция по п. 1, при этом упомянутая неинвазивная добавка выбрана из NHF, HF, HCl, НО, HNOи НО.10. Композиция по п. 1, при этом упомянутой неинвазивной добавкой является HCl.11. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая воду.12. Композиция по п. 1, дополнительно |
