| 摘要 |
1. Покрытое изделие, включающее в себя поддерживаемое стеклянной подложкой покрытие, причем покрытие содержит по меньшей мере следующие слои, двигаясь от стеклянной подложки:диэлектрический слой, содержащий цинк и галлий;отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, расположенный на подложке поверх слоя, содержащего цинк и галлий, и непосредственно контактирующий с ним,диэлектрический слой на подложке поверх по меньшей мере слоя, содержащего цинк и галлий, и отражающего ИК излучение слоя; ипри этом слой, содержащий цинк и галлий, включает от примерно 0,01 до 10% галлия.2. Покрытое изделие по п. 1, при этом в слое, содержащем цинк и галлий, ионный радиус цинка и ионный радиус галлия отличаются не более чем на примерно 15 пм.3. Окно, включающее в себя покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, является практически прозрачным.4. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытие представляет собой низкоэмиссионное (low-Е) покрытие.5. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит легированный галлием оксид цинка.6. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, состоит, по существу, из легированного галлием оксида цинка.7. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит от примерно 0,25 до 10% галлия.8. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит оксид цинка и галлий и включает от примерно 1 до 5% галлия.9. Покрытое изделие по п. 1, при этом ионный радиус цинка и ионный радиус галлия отличаются не более чем на примерно 13,5 пм.10. Покрытое изделие по п. 1, дополнительно содержащее контактный слой, располож� |
