| 摘要 |
1. Способ исследования нелинейного спинового резонанса в полупроводниках, включающий охлаждение полупроводника до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем, вектор индукции которого, и слабым переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой Ω, имеющим амплитуду, во много меньшую, и вектор индукции, направленный параллельно вектору, воздействие на образец полупроводника двумя совмещенными когерентными излучениями: мощным излучением накачки частотой ωи слабым тестовым излучением с меньшей частотой ω, регистрацию сигнала, пропорционального второй производной мощности тестового излучения на удвоенной частоте 2Ω, определение резонансного магнитного поля Bпо минимуму регистрируемого сигнала, исследование формы кривой нелинейного спинового резонанса, отличающийся тем, что совмещенные когерентные излучения, имеющие правую круговую поляризацию, направляют параллельно магнитному полю, образец полупроводника помещают в вакуумную ячейку криостата, на конец хладопровода, определяют резонансное магнитное поле, g-фактор исследуемого полупроводника и неизвестную частоту исследуемого спектра ωпо формулам:;,где µ- магнетон Бора, ћ - постоянная Планка, B- величина резонансного магнитного поля, измеряемая при тестировании излучения неизвестной частоты ω.2. Устройство для его осуществления, содержащее источники когерентного излучения, отличающееся тем, что вводят в устройство пластинку в четверть длины волны, два отражающих зеркала, закрепляют их с обеих сторон образца полупроводника под углом 45° к исследуемому активному слою образца полупроводника, направляют |
