| 摘要 |
L'invention concerne un dispositif de mémoire ferroélectrique comprenant au moins une couche qui comprend un polymère ferroélectrique, et au moins deux électrodes de part et d'autre de celle-ci, le polymère ferroélectrique étant de formule générale P(VDF-X-Y), dans laquelle VDF représente des motifs de fluorure de vinylidène, X représente des motifs de trifluoroéthylène ou de tétrafluoroéthylène, et Y représente des motifs issus d'un tiers monomère, la proportion molaire de motifs Y dans le polymère étant inférieure ou égale à 6,5 %. |
