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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten, insbesondere aus Elementen der III- und V-, der II- und VI- oder der IV-Hauptgruppe auf ein oder mehreren in einer Prozesskammer (6) eines CVD-Reaktors angeordneten Substraten (7), wobei in mindestens einem Abscheideschritt zumindest ein kohlenstoffhaltiger gasförmiger Ausgangsstoff verwendet wird, wobei während des Schichtwachstums auf dem ein oder mehreren Substraten auch parasitäre Belegungen an den Wandflächen (5, 8) der Prozesskammer (6) abgeschieden werden, wobei die parasitären Belegungen nach Entfernen der ein oder mehreren Substrate (7) aus der Prozesskammer in einem Reinigungsprozess durch Einleiten eines ein oder mehrere Reinigungsgase beinhaltenden Gasstroms und Aufheizen der Prozesskammer (6) auf eine Reinigungstemperatur in flüchtige Substanzen reagieren, die mit dem Gasstrom aus der Prozesskammer (6) transportiert werden. Um die nach einem ersten Reinigungsschritt verbleibenden rußartigen Rückstände aus der Prozesskammer zu entfernen, wird vorgeschlagen, dass der Reinigungsprozess einen Zerlegungsschritt umfasst, in dem die parasitären Belege in flüchtige Bestandteile zerlegt werden und ein kohlenstoffhaltiger Rückstand auf den Wandflächen (5, 8) verbleibt, der in einem Ammoniak-Reinigungsschritt mit in die Prozesskammer eingeleitetem Ammoniak zu einer flüchtigen Verbindung reagiert, die mit dem Gasstrom aus der Prozesskammer transportiert wird. |
