| 摘要 |
イオントラップは、ある均質度を有する第１の磁場を発生させるように配置構成された、磁気要素の第１のアレイと、磁場が実質的に最大の均質度を有する位置で電位の変向点を含む静電場を発生させるように配置構成された電極のアレイとを備え、電極のアレイは、その位置で平面状であり且つ磁場の方向に平行であり、主要な第１の磁気要素が第１の磁場の第１の成分を発生させるように配置構成され、その他の第１の磁気要素は、第１の磁場が実質的に最大の均質度を有する位置で第１の磁場の第１の成分の勾配、曲率を低減させ且つ高次導関数を簡約する第１の磁場の補償成分を発生させるように配置構成される。【選択図】 図３０ |
