| 摘要 |
Eine Halbleitereinrichtung basierend auf Funkfrequenzeinrichtungen mit einem Feldeffekttransistor mit einem geteilten Multigate ist bereitgestellt. Die Halbleitereinrichtung enthält ein Substrat und eine Gatestruktur oberhalb des Substrats und senkrecht zu einer Kanalachse. Die Halbleitereinrichtung enthält auch eine Halbleiterrippenstruktur oberhalb des Substrats entlang der Kanalachse. Der Halbleiter enthält auch einen Gateoxidbereich unterhalb der Gatestruktur und in Kontakt mit der Gatestruktur und der Halbleiterrippenstruktur. Der Gateoxidbereich hat einen ersten Bereich mit einer ersten Dicke und einer ersten Länge. Der Gateoxidbereich hat auch einen zweiten Bereich mit einer zweiten Dicke und einer zweiten Länge. Die erste Dicke ist größer als die zweite Dicke. Der erste Bereich und der zweite Bereich sind nebeneinander entlang der Kanalachse gebildet. |
