摘要 |
<p>Zur Verbesserung der Variabilität bei der Beschichtung von Substraten (12) wird eine Beschichtungsvorrichtung (10) vorgeschlagen, die eine Plasmaerzeugungsvorrichtung zur Erzeugung eines Plasmastrahls (22) aufweist, der aus einem Beschichtungskopf (26) der Plasmaerzeugungseinrichtung austritt. Es ist ein erstes Partikelreservoir (14) und ein zweites Partikelreservoirs (16) vorgesehen. Über eine Transportleitung (24) werden die Partikel aus dem ersten Partikelreservoir (14) und dem zweiten Partikelreservoir (16) als Partikelgemisch dem Plasmastrahl (22) zugeführt. Es ist eine Dosiervorrichtung (18) zum dosieren der Menge der aus dem ersten Partikelreservoir (14) in die Transportleitung (24) eingebrachten Partikel relativ zu der Menge der aus dem zweiten Partikelreservoir (16) stammenden Partikel als Partikelgemisch vorgesehen.</p> |