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Bauelement (500; 800), umfassend: einen Träger (10), ein auf dem Träger (10) abgeschiedenes erstes Material (11), wobei das erste Material (11) einen Elastizitätsmodul von weniger als 100 MPa aufweist, einen über dem ersten Material (11) angeordneten Halbleiterchip (12), ein auf dem Halbleiterchip (12) abgeschiedenes zweites Material (13, 16), wobei das zweite Material (13, 16) elektrisch isolierend ist und einen Elastizitätsmodul von weniger als 100 MPa aufweist, ein mit einem Lotmaterial (19) gefülltes Durchgangsloch (18) durch das zweite Material (13, 16), das eine Höhe (d1) von mindestens 10 μm aufweist, und eine über dem zweiten Material (13) angeordnete Metallfolie (14), wobei das in das Durchgangsloch (18) gefüllte Lotmaterial (19) ein Kontaktelement (15) des Halbleiterchips (12) mit einem Ende der Metallfolie (14) verlötet und ein anderes Ende der Metallfolie (14) ein externes Kontaktelement (21) bildet, wobei ein Teil der Metallfolie (14) in einer zu einer durch eine aktive Hauptoberfläche des Halbleiterchips (12) definierten Ebene orthogonalen Richtung einen Querschnitt mit einer welligen Struktur mit zumindest zwei Spitzen umfasst, wobei ein Spitze-zu-Spitze-Abstand in einem Bereich zwischen 10 μm und 100 μm liegt. |
