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Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Oberseite (18) und einer Unterseite (19); Erzeugen eines ersten Grabens (21), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, und eines zweiten Grabens (22, 23), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, simultan in einem gemeinsamen Ätzprozess, wobei der erste Graben (21) eine erste Breite (w21) und eine erste Tiefe (d21) aufweist, und der zweite Graben (22, 23) eine zweite Breite (w22, w23), die größer ist, als die erste Breite (w21), und eine zweite Tiefe (d22, d23), die größer ist als die erste Tiefe (d21); Erzeugen einer Oxidschicht (3) in dem ersten Graben (21) und in dem zweiten Graben (22, 23) derart, dass die Oxidschicht (3) den ersten Graben (21) füllt und eine Oberfläche des zweiten Grabens (22, 23) elektrisch isoliert, simultan in einem gemeinsamen Prozessschritt; Entfernen der Oxidschicht (3) teilweise oder vollständig aus dem ersten Graben (21) derart, dass der Halbleiterkörper (1) einen frei liegenden ersten Oberflächenabschnitt (10) aufweist, der sich in dem ersten Graben (21) befindet. |
