| 摘要 |
Leistungshalbleitervorrichtung mit: einem anorganischen Oxidfilm (9), der selektiv auf einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstypes gebildet ist; einer ersten und zweiten Elektrodenschicht (5, 6), die auf dem Halbleitersubstrat (1) so gebildet sind, dass sie den anorganischen Oxidfilm (9) zwischen sich einschließen, wobei die erste Elektrodenschicht (5) als Feldplatte funktioniert, unter der, beginnend am Halbleitersubstrat (1) ein thermischer Oxidfilm (10), der anorganische Oxidfilm (9) und ein CVD-Isolationsfilm (11) aufeinandergeschichtet sind, wobei der anorganische Oxidfilm (9) mit einem Element zum Verringern der Dielektrizitätskonstante dotiert ist und wobei das Halbleitersubstrat (1) ein SiC-Substrat oder ein GaN-Substrat ist. |
