高吞吐量薄膜特性化及缺陷检测

摘要

本发明呈现用于基于光谱响应数据确定沉积于衬底之上的高k电介质膜的带结构特性的方法及系统。利用高吞吐量分光计在制造过程中早期快速测量半导体晶片。基于光谱数据确定光学色散度量。基于光学色散度量值确定带结构特性，例如带隙、带边缘及缺陷。在一些实施例中，通过色散度量值的曲线拟合及内插确定带结构特性。在一些其它实施例中，通过所选色散模型的回归确定带结构特性。在一些实例中，还确定指示高k电介质膜的带增宽的带结构特性。基于在所述制造过程中早期识别的所述带结构特性估计已完成晶片的电性能。

主权项

一种方法，其包括：接收未完成的多层半导体晶片的跨第一光谱范围的光谱响应；至少部分基于所述光谱响应确定所述多层半导体晶片的第一层的光学色散度量；至少部分基于所述多层半导体晶片的跨所述第一光谱范围内的第二光谱范围的所述色散度量确定指示所述多层半导体晶片的所述第一层的电性能的带结构特性；以及至少部分基于所述带结构特性确定所述多层半导体晶片的所述电性能的估计。