发明名称 能量储存装置、能量储存装置的制造方法以及包含能量储存装置的移动电子装置
摘要 能量储存装置包括:中间段(610),包括多个双面多孔结构(500),其中每个包含其两个相对表面(515,525)中的多个通道(511);上段(620),包括单面多孔结构(621),其中包含其表面(625)中的多个通道(622);以及下段(630),包括单面多孔结构(631),其中包含其表面(635)中的多个通道(632)。
申请公布号 CN104115246A 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201280070312.9 申请日期 2012.02.21
申请人 英特尔公司 发明人 D.S.加德纳;T.V.阿尔布里奇;C.W.霍尔兹沃思;C.L.平特;Z.陈;W.C.金;Y.刘;J.L.古斯塔夫森
分类号 H01G11/26(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01G11/52(2013.01)I 主分类号 H01G11/26(2013.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 徐予红;汤春龙
主权项  一种能量储存装置,包括:具有第一表面和相对第二表面的双面多孔结构,所述双面多孔结构包含:第一组通道,其中每个具有到所述双面多孔结构的所述第一表面的开口;第二组通道,其中每个具有到所述双面多孔结构的所述第二表面的开口;所述第一与第二组通道之间的导电中心部分;以及所述第一组通道和所述第二组通道中包含的电解质;与所述双面多孔结构的所述第一表面相邻的第一单面多孔结构,所述第一单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面,并且包含第三组通道,所述第三组通道中每个具有到所述第一单面多孔结构的所述第一表面的开口,并且所述第三组通道中中每个包含电解质;以及与所述双面多孔结构的所述第二表面相邻的第二单面多孔结构,所述第二单面多孔结构具有第一表面和相对第二表面,并且包含第四组通道,所述第四组通道中每个具有到所述第二单面多孔结构的所述第一表面的开口,并且所述第四组通道中每个包含电解质。
地址 美国加利福尼亚州