一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其包含第一漂移区和位于第一漂移区表面的第二漂移区。第二漂移区的表面形成有至少一个凹槽，以增加漂移区的表面积，减小器件的比导通电阻。并设置栅绝缘层和栅极覆盖部分或全部第二漂移区，且栅绝缘层和多晶硅栅极依次填充凹槽，形成折叠的栅绝缘层和多晶硅栅极。在器件关断时，折叠多晶硅栅极具有的电场调制效应，提高了器件的击穿电压。而在器件开启时，可以在折叠栅绝缘层邻接漂移区的侧壁和顶部形成多层多数载流子积累层，降低漂移区的比导通电阻，实现完整的3D-RESURF效应，由此改善了击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底的表面且相互邻接的基区和漂移区；位于所述基区表面的源区，以及位于所述漂移区表面的漏区；位于源区和漏区之间，并与所述基区和漂移区邻接的栅绝缘层；位于栅绝缘层上方的多晶硅栅极，其特征在于，所述漂移区包括第一漂移区和位于所述第一漂移区表面的第二漂移区；所述第二漂移区的表面形成有至少一个凹槽；所述栅绝缘层和多晶硅栅极至少覆盖部分所述第二漂移区，且所述栅绝缘层和多晶硅栅极依次填充所述凹槽。