| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研磨停止层并填充所述标记窗口和掺杂区沟槽；进行化学机械研磨工艺，以暴露所述研磨停止层表面；以及去除所述研磨停止层，形成光刻标记和掺杂区。本发明利用一次光刻刻蚀工艺同时形成标记窗口和掺杂区沟槽，与现有技术相比减少了一次光刻刻蚀工艺，有利于简化工艺步骤，节省制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104112670A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410304321.0 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 杨彦涛;江宇雷;赵金波;袁家贵;崔小锋;赵学峰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研磨停止层并填充所述标记窗口和掺杂区沟槽；进行化学机械研磨工艺，以暴露所述研磨停止层表面；以及去除所述研磨停止层，形成光刻标记和掺杂区。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号 | ||