半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间；穿通阻挡层，位于鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片上利用重掺杂牺牲隔离层而在鳍片底部通过扩散形成了均匀、陡峭的穿通阻挡层，有效抑制了寄生沟道效应和沟道穿通效应并且简化了工艺，从而提高了器件可靠性。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；在沟槽中形成浅沟槽隔离；在鳍片侧面的浅沟槽隔离顶部上形成掺杂层；退火，使得掺杂层中杂质向鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处扩散，形成穿通阻挡层。