发明名称 一种LED的封装方法
摘要 本发明公开了一种LED的封装方法,属于半导体封装技术领域。本发明多次以铁箔(8)作为导电层进行高精度的电镀工艺,并结合光刻工艺实现再布线金属层和金属块,其次以包封树脂包封再布线金属层和金属块形成金属引线框本体(1),再在金属引线框本体(1)上正装固定LED芯片(2),然后完成整个封装结构。本发明采用高精度的电镀工艺实现金属引线框本体,克服了湿法腐蚀工艺存在的框架的翘曲缺陷,有效地解决了芯片贴装与打线工艺的协调问题,提高了产品的良率和一致性。 
申请公布号 CN104112811A 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201410361999.2 申请日期 2014.07.28
申请人 江阴长电先进封装有限公司 发明人 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 彭英
主权项 一种LED的封装方法,其工艺过程如下:取一载板(7)和铁箔(8),在载板(7)上固定铁箔(8);在铁箔(8)上贴光刻膜Ⅰ(91),顺次通过设定图形、曝光、显影,形成光刻膜Ⅰ开口图形(911);在光刻膜Ⅰ开口图形(911)内电镀金属,形成再布线金属层(111、112、113),并在再布线金属层(111、112、113)的表面化学镀镍/金,通过去胶工艺去除剩余的光刻膜;在完成再布线金属层(111、112、113)的铁箔(8)上贴光刻膜Ⅱ(92),顺次通过设定图形、曝光、显影,形成光刻膜Ⅱ开口图形(921),露出再布线金属层(111、112、113);在光刻膜Ⅱ开口图形(921)内电镀形成金属块(121、122、123),通过去胶工艺去除剩余的光刻膜,再布线金属层(111、112、113)与金属块(121、122、123)一对一连接,分别形成金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13);对形成金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13)的铁箔(8)上方进行包封,形成包封层(10);采用研磨、抛光的工艺减薄铁箔(8)上方的包封层(10),露出金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13)的一端面,且在金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13)的该端面化学镀镍/金层(151);将上述完成的封装结构上下翻转180°,取下载板(7),并腐蚀掉铁箔(8),露出金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13)的另一端面,在金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)、金属组块Ⅲ(13)的该端面化学镀镍/金层(152);在完成镍/金层(152)的金属组块Ⅲ(13)的表面点上粘合剂Ⅰ(31),并将LED芯片(2)的背面通过粘合剂Ⅰ(31)贴装至金属组块Ⅲ(13)的区域内;打线,将LED芯片(2)的电极通过引线分别与金属组块Ⅰ(11)、金属组块Ⅱ(12)的再布线金属层连接;点封装物(6),所述封装物(6)包裹LED芯片(2)及其引线;将上述完成封装的LED封装结构切割成单颗封装体。
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