发明名称 |
无机聚硅氮烷树脂 |
摘要 |
本发明的无机聚硅氮烷树脂是所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上的无机聚硅氮烷树脂。这样的Si含量高的无机聚硅氮烷树脂例如可通过如下方法等方法来制造:将同时包含Si-NH和Si-Cl的无机聚硅氮烷化合物加热,使NH与Cl进行反应的方法;以及合成不残留Si-Cl键的硅氮烷低聚物(聚合物),向其中加入二卤代硅烷而进行热反应的方法。关于硅质膜,例如通过将含有前述无机聚硅氮烷树脂的涂布组合物涂布于基板,进行干燥,然后在加热了的状态下与水蒸气接触而氧化或者与过氧化氢蒸气以及水蒸气接触而氧化从而形成。 |
申请公布号 |
CN104114483A |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201380008388.3 |
申请日期 |
2013.02.01 |
申请人 |
AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
发明人 |
藤原嵩士;R·格罗特穆勒;神田崇;长原达郎 |
分类号 |
C01B21/082(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I |
主分类号 |
C01B21/082(2006.01)I |
代理机构 |
北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 |
代理人 |
刘激扬 |
主权项 |
一种无机聚硅氮烷树脂,其特征在于,所包含的硅原子与氮原子的比率Si/N为1.30以上。 |
地址 |
卢森堡 |