发明名称 |
一种稀土永磁体的制备方法 |
摘要 |
一种稀土永磁体的制备方法,其包括:不包括回火处理步骤的毛坯磁体制备工序、渗透材料涂覆工序及热处理工序。不包括回火处理步骤的毛坯磁体制备工序是指经过配料-合金熔炼-粉碎制粉-成型-烧结工序制成毛坯磁体。渗透材料涂覆工序包括渗透材料粉末的制备、将渗透材料粉末制备成涂覆溶液、及在涂覆溶液中对毛坯磁体进行涂覆等工序。本发明采用稀土金属间化合物作为扩散材料,其相和成份比较稳定,且易于破碎;稀土金属间化合物的成相元素范围宽,可以根据磁体性能需要调整形成稀土金属间化合物的成份。发明可以改善晶界的边界特征及其与主相晶粒的相互作用,提高烧结钕铁硼磁体的内禀矫顽力,而剩磁和最大磁能积减小量很少。 |
申请公布号 |
CN104112580A |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201310130553.4 |
申请日期 |
2013.04.16 |
申请人 |
北京中科三环高技术股份有限公司;三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司 |
发明人 |
赵玉刚;胡伯平;张瑾;陈国安;饶晓雷;钮萼;陈治安;贾敬东;金国顺 |
分类号 |
H01F41/02(2006.01)I;H01F1/053(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 |
代理人 |
陈立航 |
主权项 |
一种稀土永磁体的制备方法,其特征在于,所述方法包括:不包括回火处理步骤的毛坯磁体制备工序、渗透材料涂覆工序及热处理工序。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层 |