一种抗PID 效应的太阳能电池片

摘要

本实用新型属于光伏太阳能电池的制造技术，涉及一种抗电势诱导衰减效应的太阳能电池片。其电池片包括有晶体硅衬底、绒面、扩散发射结以及依次沉积在晶体硅衬底上的三层钝化减反射膜，第一层为SiNx，折射率为2.2-2.4，厚度为5-10nm，第二层SiNx的折射率为1.9-2.1，厚度为50-80nm，第三层为氧化铝，折射率为1.8-1.9，厚度为2-10nm。本实用新型抗电势诱导效应效果好，并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产，成本低。

主权项

一种抗PID效应的太阳能电池片，包括硅片、绒面、扩散发射结和电极，其特征在于，在所述扩散发射结表面有三层钝化减反射膜，第一层为SiNx，折射率为2.2‑2.4，厚度为5‑10nm，第二层为SiNx，折射率为1.9‑2.1，厚度为50‑80nm，第三层为氧化铝，折射率为1.8‑1.9，厚度为2‑10nm。