表面改性的c-Si及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种表面改性的c-Si及其制备方法与应用。该表面改性的c-Si制备方法包括对c-Si纳米粒子表面进行酸液处理的步骤、将经酸液处理的c-Si纳米粒子分散的步骤和将经酸液处理的c-Si纳米粒子与硅烷偶联剂于70～90℃进行反应的步骤。上述表面改性的c-Si制备方法采用硅烷偶联剂对c-Si纳米粒子表面进行改性修饰，使得制备获得的表面改性的c-Si具有优异的分散性能，避免受到仪器的限制，降低了生产成本。

主权项

一种c‑Si表面改性方法，包括如下步骤：获取c‑Si纳米粒子，并对其表面进行酸液处理；将进行酸液处理后的所述c‑Si纳米粒子分散于有机溶剂中，形成分散体系；将所述分散体系加热至70～90℃后，加入硅烷偶联剂，保持所述分散体系的温度为70～90℃进行反应；待反应结束后，进行固液分离、洗涤、干燥处理，得到表面改性的c‑Si纳米粒子。