一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备

摘要

本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与容积可调节的沉积室相连接。本发明可提供不同容积的沉积室，能够较好的适应不同体积的待加工器件，沉积室和待加工器件合理的体积比，可以有效的降低沉积反应周期时间，减少劣质膜的生长，降低膜层的颗粒度，提供沉积质量，满足半导体器件到膜层精度的要求。

主权项

一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备，其特征在于：包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；所述控制部件分别与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，所述述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与所述容积可调节的沉积室相连接；其中，所述容积可调节的沉积室包括容积不同的第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室；所述第一沉积室、第二沉积室和第三沉积室之间通过密封提升头连接，所述沉积室均设有独立的基板保持器和加热器。