半导体装置及其终端区结构

摘要

本发明提供一种半导体装置的终端区结构，包含半导体层；复数沟槽，其形成在该半导体层的表面；连结沟槽，其形成在该半导体层的表面，用于连接该复数沟槽中相邻的两个沟槽；第一绝缘层，其形成在该复数沟槽、该连结沟槽、及该半导体层的表面；导电材料，其形成在该复数沟槽及该连结沟槽内；第二绝缘层，其覆盖该第一绝缘层的部分表面及该导电材料的部分表面；以及金属层，其覆盖该第二绝缘层的部分表面。

主权项

一种半导体装置的终端区结构，其特征在于，包含：半导体层；复数沟槽，其形成在所述半导体层的表面；第一连结沟槽，其形成在所述半导体层的表面，用于连接所述复数沟槽中相邻的第一沟槽及第二沟槽；第一绝缘层，其形成在所述复数沟槽的表面、所述连结沟槽的表面、及所述半导体层未形成所述复数沟槽或所述连结沟槽的表面；导电材料，其形成在表面具有所述第一绝缘层的所述复数沟槽及所述第一连结沟槽内，且所述第一沟槽及所述第二沟槽内的所述导电材料介由所述第一连结沟槽内的所述导电材料而导通；第二绝缘层，其至少覆盖部分所述第一绝缘层未接触所述导电材料的表面及部分所述导电材料未接触所述第一绝缘层的表面；及金属层，其至少覆盖所述第二绝缘层的部分表面。