| 发明名称 | 非易失性存储器装置和垂直NAND存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置和一种垂直NAND存储装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括第一沟道以及在垂直于位线方向的方向上与第一沟道偏移的第二沟道，其中，位线方向垂直于所述单一的选择栅极线的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN104112750A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410301392.5 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 薛光洙;金锡必;朴允童 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;谭昌驰 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括第一沟道以及在垂直于位线方向的方向上与第一沟道偏移的第二沟道，其中，所述位线方向垂直于所述单一的选择栅极线的方向。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||