发明名称 激光器架构
摘要 本发明公开了VCSEL系统的架构。通过使用高功率红外VCSEL元件,可使用块状倍频材料使所述红外光倍频并且在连续波(CW)或脉冲模式下于腔体中产生可见光(红光、绿光、蓝光或紫外光)。这些VCSEL的输出分布布拉格反射器(DBR)的反射率可被设计成增加所述腔体中的功率,而不是VCSEL激光器中的功率。通过使得能够在腔体中使用块状倍频材料并且使VCSEL直接倍频,所述装置可价格便宜、更简单、效率高、可靠性更好并且极大地改善制造和对准容限。有多个腔体架构可用于使来自VCSEL的红外光倍频。所述VCSEL可为单独元件,或为具有高强度元件的阵列。
申请公布号 CN104115349A 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201380009037.4 申请日期 2013.02.11
申请人 瑞尔D股份有限公司 发明人 R·范利文;B·徐;Y·熊;J-F·瑟兰;C·戈什
分类号 H01S5/183(2006.01)I 主分类号 H01S5/183(2006.01)I
代理机构 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙) 11269 代理人 严慎;支媛
主权项 一种垂直腔面发射激光器系统的架构,所述架构包括:至少一个垂直腔面发射激光器(VCSEL)元件;倍频材料,所述倍频材料位于与所述VCSEL元件相邻的腔体中并且被构造成接收从所述VCSEL元件发出的光,并且使所接收光的频率基本上倍频;以及输出耦合器,所述输出耦合器被构造成输出来自所述腔体的倍频光。
地址 美国加利福尼亚州