| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；在衬底之上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si-C键并且包含源电极与漏电极之间的部分的含Si-C键的膜。该部分与化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者钝化膜的上表面的至少一部分接触。本发明还涉及包括所述化合物半导体器件的一种电源设备和一种放大器。 | ||
| 申请公布号 | CN104112772A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201410116734.6 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 牧山刚三 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；所述衬底上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；覆盖所述化合物半导体堆叠结构的钝化膜；在所述化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及含Si‑C键的膜，所述含Si‑C键的膜包含Si‑C键并且包括在所述源电极和所述漏电极之间的部分，所述部分与所述化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分或者与所述钝化膜的上表面的至少一部分接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||