晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有第一导电垫设置于下表面、以及第一凹部对应第一导电垫而设置，第一凹部与绝缘层均自上表面朝下表面延伸。第一凹部暴露出第一导电垫。部分绝缘层位于第一凹部中且具有开口以暴露出第一导电垫。重布局金属层具有对应第一导电垫的重布局金属线路，重布局金属线路通过开口与第一导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体晶片的下表面的第一导电垫，电性连接于该侧的焊接垫。本发明可有效缩减或免除现有技术所必须具有的打线间距，以使半导体晶片发挥更高的效能。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体晶片，具有一上表面及下表面，该半导体晶片还具有设置于该下表面的至少一第一导电垫、以及对应于该下表面的该至少一第一导电垫而设置的至少一第一凹部，该第一凹部自该上表面朝该下表面延伸，以暴露出该第一导电垫；一绝缘层，自该半导体晶片的该上表面朝该下表面延伸，部分的该绝缘层位于该第一凹部之中，其中该绝缘层具有至少一开口以暴露出该第一导电垫；一重布局金属层，设置于该绝缘层上且具有对应该至少一第一导电垫的至少一重布局金属线路，该重布局金属线路通过该开口与该第一导电垫连接；以及至少一焊接垫，配置于该绝缘层上且位于该半导体晶片的一侧，其中，该至少一重布局金属线路延伸至该至少一焊接垫，使配置于该半导体晶片的该下表面的该第一导电垫电性连接于该侧的该焊接垫。