| 发明名称 | 等离子体刻蚀机台 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机台，所述等离子体刻蚀机台包括：反应腔室；设置于所述反应腔室顶部的顶盘；设置于所述顶盘上的径向线槽天线；设置于所述顶盘上的脉冲电感耦合线圈；以及设置于所述反应腔室底部的静电吸盘。在本实用新型提供的等离子体刻蚀机台中，通过使用径向线槽天线执行刻蚀工艺能够使得衬底/晶圆表面的损伤程度较低；同时，通过使用脉冲电感耦合线圈能够达到较好的密集区域与稀疏区域的刻蚀控制程度以及较优的线宽粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN203895414U | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201420235205.3 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种等离子体刻蚀机台，其特征在于，包括：反应腔室；设置于所述反应腔室顶部的顶盘；设置于所述顶盘上的径向线槽天线；设置于所述顶盘上的脉冲电感耦合线圈；以及设置于所述反应腔室底部的静电吸盘。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||