| 发明名称 | 堆叠存储器体系结构中的单独微通道电压域 | ||
| 摘要 | 本文涉及堆叠存储器体系结构中的单独微通道电压域。存储器装置的实施例包括含有一个或更多个耦合的存储器管芯的存储器栈和与存储器栈耦合的逻辑芯片，其中，存储器栈的第一存储器管芯包括多个微通道，逻辑芯片包括存储器控制器。每个微通道包括单独的电压域，并且为多个微通道的每个微通道控制电压电平。 | ||
| 申请公布号 | CN104115226A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201180076440.X | 申请日期 | 2011.12.23 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | A.谢菲尔;R.萨拉斯瓦特 |
| 分类号 | G11C5/02(2006.01)I;G11C11/4074(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;汤春龙 |
| 主权项 | 一种存储器装置，包括：存储器栈，包括一个或更多个耦合的存储器管芯，其中所述存储器栈包括多个微通道；以及与所述存储器栈耦合的逻辑芯片，所述逻辑芯片包括存储器控制器；其中所述多个微通道的每个微通道包括单独的电压域；以及其中单独为所述多个微通道的每个微通道控制电压电平。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||