发明名称 晶种层和晶种层的制造方法
摘要 本发明涉及用于铸造适合用于太阳能电池或太阳能模块的硅的晶种层和晶种层的制造方法。所述方法包括安置边缘对齐的瓦片以在适当的表面上形成接缝的步骤以及在所述接缝处接合所述瓦片以形成晶种层的步骤。所述接合步骤包括加热所述瓦片以熔化所述瓦片的至少一部分、使所述瓦片在至少一个接缝的两端与电极接触、使用非晶硅的等离子体沉积、施加光子以熔化所述瓦片的一部分和/或层沉积。本发明的晶种层包括宽度和长度为至少约500毫米的直线形状。
申请公布号 CN102362016B 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201080013184.5 申请日期 2010.01.13
申请人 AMG艾迪卡斯特太阳能公司 发明人 内森·G·斯托达德
分类号 C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/14(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王伟;安翔
主权项 一种用于制造硅晶种层的方法,所述硅晶种层适合用于太阳能电池或太阳能模块的制造,所述方法包括:安置边缘对齐的瓦片,以在适当的表面上形成接缝;以及在所述接缝处接合所述瓦片,以形成晶种层;其中,所述接合包括:加热所述瓦片,以熔化所述瓦片的至少一部分,并封闭所述接缝;以及冷却所述晶种层。
地址 美国马里兰州