| 发明名称 | DDR型沸石的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于DDR型沸石的制造方法，包括：调制含有1-金刚烷胺盐酸盐、二氧化硅(SiO<sub>2</sub>)和水，1-金刚烷胺盐酸盐/SiO<sub>2</sub>的摩尔比为0.002～0.5且水/SiO<sub>2</sub>的摩尔比为10～500的原料溶液的原料溶液调制工序，和通过将上述原料溶液与DDR型沸石粉末在接触状态进行加热处理，将上述DDR型沸石粉末作为晶种令DDR型沸石晶体生长的晶体生长工序。此外，根据本发明，提供可使用对环境影响低的材料实施、水热合成时间短、无需对原料溶液始终搅拌、而且制造成本低的DDR型沸石的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102639441B | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201080053919.7 | 申请日期 | 2010.11.05 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 内川哲哉;谷岛健二 |
| 分类号 | C01B39/48(2006.01)I;C01B37/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B39/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐申民;李晓 |
| 主权项 | 一种DDR型沸石的制造方法，包括：混合1‑金刚烷胺盐酸盐、二氧化硅SiO<sub>2</sub>和水，调制所含1‑金刚烷胺盐酸盐/SiO<sub>2</sub>的摩尔比为0.002～0.5且水/SiO<sub>2</sub>的摩尔比为10～500的原料溶液的原料溶液调制工序、和令所述原料溶液与DDR型沸石粉末接触，通过加热处理，将所述DDR型沸石粉末作为晶种令DDR型沸石晶体生长的晶体生长工序；所述原料溶液调制工序中不使用乙二胺。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||