控制光刻过程的方法

摘要

本发明涉及计算的过程控制。本发明还提供了在计算过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环过程中提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方案。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过使用光刻过程模拟模型比较测量的时间漂移与基准线性能来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和除此之外监控和控制在时间上的重叠和/或CD均匀性(CDU)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。

主权项

一种通过减小用于光刻过程的光刻设备的性能的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤：(a)定义所述光刻设备的基准线性能，其中用于所述基准线性能的光刻模型被通过使用从在初始时刻使用所述光刻过程曝光的图案收集的第一组晶片量测数据获得，其中所述光刻模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数关于所述光刻设备的一个或更多的设定的变化；(b)通过相对于所述基准线性能来分析与所述光刻设备的当前的性能相关联的时间漂移来监控所述光刻设备的性能稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻收集的晶片量测数据和从在随后时刻曝光的图案收集的随后的晶片量测数据来确定；和(c)通过减小所述基准线性能和所述当前的性能之间的差别来调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，以减小所确定的时间漂移，由此保持所述光刻过程在所定义的基准线性能内或实质上接近所定义的基准线性能。