| 发明名称 | 用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD) | ||
| 摘要 | 总体上描述了一种用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD)。例如，半导体结构包括布置在衬底之中或之上的多个半导体器件。一个或多个电介质层布置在多个半导体器件之上。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器布置在电介质层的至少一个中，MIM电容器包括具有TaAlC共形层的电极，且MIM电容器电耦合至半导体器件中一个或多个。同时公开并且要求保护了其他实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN104115269A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201180075615.5 | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | N·林德特;R·A·布雷恩;J·M·施泰格瓦尔德;T·E·格拉斯曼;A·巴兰 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：多个半导体器件，所述多个半导体器件布置在衬底之中或之上；一个或多个电介质层，所述一个或多个电介质层布置在所述多个半导体器件之上；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，所述金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器布置在所述电介质层中的至少一个中，所述MIM电容器包括具有TaAlC共形层的电极，并且所述MIM电容器电耦合至所述半导体器件中的一个或多个。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||