| 发明名称 | 用于测试MIM电容器件的测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于测试MIM电容器件的测试结构，包括：第一MIM电容结构、第二MIM电容结构、第一测试焊垫、第二测试焊垫和第三测试焊垫；第一MIM电容结构和第二MIM电容结构的结构相同，第一MIM电容结构和第二MIM电容结构均包括依次层叠的第一金属电极、介质层和第二金属电极；其中，第一测试焊垫与第一MIM电容结构的第一金属电极电连接，第二测试焊垫与第二MIM电容结构的第二金属电极电连接，第三测试焊垫与第一MIM电容结构和第二MIM电容结构的两个金属电极均电连接。在本实用新型提供的用于测试MIM电容器件的测试结构中，采用两个结构相同的MIM电容结构，能够从MIM电容结构的正反方向分别进行击穿电压的测试，从而保证击穿电压测量的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN203894369U | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201420275405.1 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘纪涛 |
| 分类号 | G01R31/12(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | G01R31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于测试MIM电容器件的测试结构，其特征在于，包括：第一MIM电容结构、第二MIM电容结构、第一测试焊垫、第二测试焊垫和第三测试焊垫；所述第一MIM电容结构和第二MIM电容结构的结构相同，所述第一MIM电容结构和第二MIM电容结构均包括依次层叠的第一金属电极、介质层和第二金属电极；其中，所述第一测试焊垫与所述第一MIM电容结构的第一金属电极电连接，所述第二测试焊垫与所述第二MIM电容结构的第二金属电极电连接，所述第三测试焊垫与所述第一MIM电容结构和第二MIM电容结构的第一金属电极和第二金属电极均电连接。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||