| 发明名称 | 存储器件及其制造方法和存取方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的晶体管，包括栅堆叠以及栅堆叠两侧的源区和漏区；在衬底中形成的电容器结构，该电容器结构的至少一部分延伸到晶体管的沟道区下方，其中，该存储器件还包括电容器结构与晶体管的漏区之间的隧穿通道，该隧穿通道被配置为在晶体管导通且晶体管的源区与电容器结构之间存在一定的电压差时，通过隧穿效应，允许晶体管沟道区中的载流子进入电容器结构中或者释放电容器结构中存储的载流子。 | ||
| 申请公布号 | CN104112747A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201310138397.6 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;G11C11/407(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：衬底；在衬底上形成的晶体管，包括栅堆叠以及栅堆叠两侧的源区和漏区；在衬底中形成的电容器结构，该电容器结构的至少一部分延伸到晶体管的沟道区下方，其中，该存储器件还包括电容器结构与晶体管的漏区之间的隧穿通道，该隧穿通道被配置为在晶体管导通且晶体管的源区与电容器结构之间存在一定的电压差时，通过隧穿效应，允许晶体管沟道区中的载流子进入电容器结构中或者释放电容器结构中存储的载流子。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||